Tecnologia de alta condutividade térmica
| Tecnologia de alta condutividade térmica | |
| Unid | Material / Parâmetros |
| Material | À base de Al, à base de Al (Al: 3003, 5052, 6061） À base de cobre, à base de cobre (Cu: T1, T2, T3） Base de cerâmica (Material: AL2O3, ALN) |
| Fornecedor de materiais à base de metal: Chuang Hui, Wazam, Ventech, Polytronics, | |
| Fornecedor de material à base de cerâmica: Kyocera, Bergquist | |
| Camadas | 1-6L |
| Condutividade térmica baseada em metal (W/mk) | PP condutivo: 2, 3, 4, 6, 8 |
| Separação térmica eletroeletrônica: 12, 25, 77, 380 Cobre/Alu Mix: 49-104 | |
| Condutividade térmica à base de cerâmica (W/mk) | AL2O3： 96% Pureza ---26；99% Pureza ---30 |
| ALN： 99,9% Pureza－－－67 | |
| Espessura da Placa (mm) | Com base em metal: 1.0, 1.2, 1.6, 2.0, 2.3 |
| Com base em cerâmica: 0,83, 1,0, 1,5, 3,0 | |
| Espessura do Cobre (Oz) | H, 1, 2, 3 |
| Tamanho da Entrega: | Com base em metal: min:18*18; máx.:500*585 Com base em cerâmica: min:2*2; máx. 100*100 |
